Samsung ha anunciado que se está produciendo en masa chips DRAM de 8 Gb a través de un proceso de fabricación de 10 nanómetros…lo que es toda un avance importante y no precisamente algo sencillo de lograr. Para que os hagáis una idea del logro que supone la compañía Intel ha retrasado la fabricación de CPU con una tecnología de fabricación de 10 nanómetros.
A pesar de que Intel no ha conseguido aún «ajustar todas las piezas» cada vez está más cerca de lograrlo…La que si ha dado el primer paso es Samsung con la fabricación de estos chips DRAM de 10 nanómetros. La compañía está produciendo en masa los primeros chips DDR4 utilizando esta tecnología en tamaños de 8 Gb, y se adelanta de esta manera a sus competidores Hynix y Micron. La compañía producirán módulos SIMM este año que varía de los 4 GB para portátiles hasta los 128 GB para los servidores de empresa. Samsung también se comprometió a llevar también estos nuevos chips DRAM de 10 nanómetros al móvil «en un futuro próximo».
¿Porque es importante la fabricación de componentes con un proceso de fabricación de 10 nanómetros?
Hemos llegado a un punto de la tecnología en el que la famosa ley de Moore es cada vez más díficil de lograr. Esta ley afirmaba que cada dos años se duplicaba la potencia de nuevos procesadores con respecto a los de la tecnología anterior. Hasta hace unos años todos los esfuerzos de las diferentes compañías iban dirigidos en lograr cada vez más aumentar la frecuencia de trabajo de los procesadores…pero se llega a un punto en el que aumentar esta lleva a problemas de difícil solución (a más frecuencia más temperatura que colapsa los materiales con el que son fabricados). Esto hizo que esta carrera por aumentar la frecuencia de trabajo de los procesadores se «parara»…y comenzáramos a ver una evolución en los procesos de integración. Si no puedo lograr que un procesador corra más haré que dos procesadores o núcleos hagan este trabajo a la vez…Más núcleos equivalen a más «manos» y de esta manera los procesadores siguen siendo más potentes cada año que pasan.
El problema de añadir núcleos es que necesitas que cada vez entren más en el mismo espacio…por eso necesitas reducir el proceso de fabricación (lo que ocupan cada uno de los componentes internos de un chip)…y por eso estos últimos años hemos visto como se iban reduciendo el tamaño del proceso de fabricación de los mismos.
La compañía lanzó no hace mucho (el año pasado) una tecnología de 10 nanómetros en la fabricación de memorias NAND flash para SSD y otros productos de almacenamiento, pero la reducción a ese tamaño de los procesos de fabricación de la DRAM es más difícil. Esto se debe a la memoria volátil requiere un condensador para ir con el transistor, es decir, todos los componentes tienen que ser más pequeño. La dificultad se multiplica aún más porque tiene que «apilar condensadores muy estrechas en forma de cilindro que almacenan grandes cargas eléctricas, en la parte superior de un par de transistores a escala de docenas de nanómetros, hablamos de la creación de más de ocho mil millones de células».
Para construirlos, se mejoró la tecnología de cuádruple patrón (utilizado por primera vez por su memorias NAND), donde se toman las exposiciones múltiples litográficas para aumentar la resolución de las características de los chips. El resultado es un chip que es 30 por ciento más rápido y 20 por ciento más eficiente energéticamente que la última generación de memorias RAM de 20 nanómetros de Samsung. Este tipo de memoria RAM es probable que llegue en primer lugar a ordenadores portátiles, pero los constructores de PC deberían ser capaz de comprar módulos basados en la tecnología antes de que finalice el año.
Fuente: Endgadget
Saludos desde lo más profundo de los bytes.
