IBM está desarrollando un nuevo tipo de memoria de cambio de fase que cuenta con una característica ciertamente llamativa, son 100 veces más rápidas que las memorias flash actuales.
Alrededor de cinco años a partir de ahora son lo que tendremos que esperar para que este nuevo tipo de memoria comience a ser utilizada el nuestros dispositivos. La nueva memoria de cambio de fase (PCM) es capaz, según Engadget, de alcanzar velocidades de lectura y escritura 100 veces mayores que las memorias flash actuales, sin dejar de ser fiable en millones de ciclos de lectura / escritura (frente a los miles de ciclos alcanzados por las memorias de tipo flash).
Esta nueva memoria se basa en una aleación especial que se puede «formatear» en diferentes estados físicos (que representan los ceros y unos), utilizando pequeñas cantidades controladas de energía eléctrica. IBM espera tener la tecnología lista para usarse dentro de cinco años….mientras tanto tocará esperar.
Saludos desde lo más profundo de los bytes.
