Samsung anunció esta semana que había comenzado la producción en serie de su segunda generación de memoria HBM2, el código de memoria llamado «Aquabolt». Los nuevos dispositivos de memoria tienen una capacidad de 8 GB y funcionan a una velocidad de transferencia de datos de 2,4 Gbps por pin. Para alcanzar la nueva velocidad de datos, Samsung tuvo que aplicar nuevas tecnologías relacionadas con el diseño TSV y el control térmico. Samsung tiene la intención de ofrecer la nueva memoria a los clientes para su uso en HPC, AI y soluciones gráficas de última generación.
Samsung inicia la producción masiva de los nuevos dispositivos de memoria «Aquabolt» HBM2:8 GB, 2,4 Gbps.
Los nuevos productos Aquabolt de Samsung ofrecen velocidades de transferencia de datos de 2,4 gigabits por segundo (Gbps) por pin, que es superior al estándar para el que fue diseñado. Además, la nueva memoria de Samsung reduce su tensión a 1,2 V gracias a las optimizaciones internas.
La producción masiva de su segunda generación 8GB High Bandwidth Memory-2 (HBM2), es el paquete apodado Aquabolt. Esto se traduce en un aumento del rendimiento de casi el 50 por ciento en comparación con su oferta de primera generación.
El nuevo paquete Aquabolt, ofrecerá un ancho de banda de datos de 307 gigabytes por segundo (GBps), logrando una transmisión de datos 9,6 veces más rápida que un chip GDDR5 de ocho gigabit (Gb), que proporciona 32 GBps de ancho de banda. Como destaca Samsung, el uso de cuatro de los nuevos paquetes HBM2 en un sistema permitirá 1,2 terabytes por segundo (TBps) de ancho de banda.
La arquitectura general de la nueva memoria 8 GB HBM2 «Aquabolt» de 8 GB de Samsung, es similar a la de 8 GB HBM2 «Flarebolt» de la empresa.
Samsung señala que alcanzar el nivel de rendimiento sin precedentes de Aquabolt requirió el uso de nuevas tecnologías relacionadas con Through Silicon Via (TSV) y el control térmico.
Un único paquete HBM2 de 8 GB, por ejemplo, consta de ocho matrices HBM2 de 8 GB que están interconectadas verticalmente utilizando más de 5.000 TSV por matriz. El uso de muchos TSVs puede causar sesgo del reloj colateral, aunque Samsung fue capaz de minimizar el sesgo y aumentar el rendimiento del chip en el proceso. Para mantener la temperatura controlada, Samsung aumentó el número de golpes térmicos entre los troqueles HBM2 e incluso reforzó la resistencia física general del paquete, añadiendo una capa protectora adicional en la parte inferior.
Samsung no dijo cuándo le proporcionaría la nueva memoria a los socios, aunque afirmo que ya está en producción masiva, por lo que se puede esperar que la disponibilidad del producto no esta demasiado lejana.
